氮化镓场效应晶体管GaN FET是一种用于输入电压控制输出电流的固体半导体器件，是以氮化镓、铝氮化镓为基础材料的场效应晶体管。因具有好的散热性能、高的击穿电场以及高的饱和速度，相比与同等的硅场效应晶体管，氮化镓场效应晶体管所具有的优势十分明星，栅极电容较低、栅极驱动电压较低和额定电压能力较高等，因此，在大功率高频能量转换和高频微波通讯等方面有着广阔的应用前景。

现阶段，以氮化镓为基础，已经制备出了金属场效应晶体管、异质结场效应晶体管、调制掺杂场效应晶体管等新型器件。虽然这些器件都是在理想的状态下制作的而成的，但是氮化镓场效应晶体管内部不可避免会存在一些影响产品性能的缺陷，如原子在晶格结构中发生位移。在剪切力作用下，如果多个位错移动，那么沿着晶格平面的键会拉伸并最终破裂。因此，为了防止不良品进入下一道生产工序，所以就需要借助检测工具x光透视设备对氮化镓场效应晶体管的内部结构进行全面的检测，将存在缺陷的氮化镓场效应晶体管挑选出来，确保GaN FET的可靠性。

正业科技x光透视设备发出波长短且有穿透力的x射线，射线透过氮化镓场效应晶体管GaN FET的过程中，会与物质中的原子发生相互作用，引起辐射强度的衰减（衰减的程度与受GaN FET的厚度、密度和化学成分息息相关）。如果GaN FET内部存在某种缺陷，那么缺陷处以及周围区域就可以看到射线强度衰减的差异。设备通过相关的手段，将缺陷位置标记出来，将缺陷产品挑选出来。

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